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【2h】

On device design for steep-slope negative-capacitance field-effect-transistor operating at sub-0.2V supply voltage with ferroelectric HfO2 thin film

机译：利用铁电HfO2薄膜在低于0.2V电源电压下工作的陡坡负电容场效应晶体管器件设计

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Masaharu Kobayashi; Toshiro Hiramoto;
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年度 2016
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